高浓度敏化剂掺杂的NaYF4:Yb3+,Er3+纳米材料的合成及发光性能研究

来源 :第十四届全国发光学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:QQ81886788
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  我们使用了溶剂热法制备了不同浓度Yb3+离子掺杂、结晶性良好的NaYF4:Yb3+,Er3+上转换纳米颗粒,研究了高浓度敏化剂掺杂对材料形貌和发光特性的影响。一方面,样品的粒径随着掺杂浓度的增加明显增大,说明高浓度的Yb3+离子的掺杂有助于NaYF4 纳米晶体的生长。
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会议
采用高温固相法获得了稀土离子Ce3+激活的Ba9Lu2Si6O24(BLS)绿色荧光粉,BLS:Ce3+的激发峰位于400nm,恰好与近紫外(NUV)芯片的发光相匹配,表明该材料可被NUV 芯片有效激发。在400nm 激发下,BLS:11%Ce3+发射出峰值490nm、带宽约120nm 的蓝绿光,内量子效率90%以上;在150℃时,发光效率可维持在室温下的90%以上,表现出较好的热稳定性。
本论文主要研究了溶液法共面式/交叠式顶栅薄膜晶体管的制备,器件的偏压稳定性,和基于亚禁带缺陷态(DOS)和有缘层/绝缘层的界面缺陷态(Qit)的二维数值仿真,其中,器件的有缘层为ZnInSnO(ZITO)材料,绝缘层为HfAlO(HAO)材料。
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会议
基于SOI 结构的硅基拉曼激光器,调制器,波长转换器和光开光等光子学器件的研究已经取得了一定的进展。但是,由于体硅材料的Kerr 系数仍然较小,而且材料的双光子吸收系数较大。这一方面需要较高的光泵浦功率,另一方面由于光生载流子具有较长的复合时间(在纳秒量级),使得光学器件的响应速度受到限制,且自由载流子的吸收损耗也会增大,这就限制了非线性光学器件的应用。
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