【摘 要】
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本文基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款应用于WLAN2.4GHz ISM波段的全集成低噪声放大器.一种应用于宽带LNA的匹配技术被引入到窄带LNA的设计中,不仅实现了噪声和阻抗的同时匹配,而且减小了用于输入匹配的电感,降低了由匹配电感寄生电阻引起的噪声.在2.4GHz处,低噪声放大器的噪声系数(NF)达到1.03dB,功率增益为19.77dB,输入输出回波损耗大于10dB.
【机 构】
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东南大学信息科学与工程学院,南京210096
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本文基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款应用于WLAN2.4GHz ISM波段的全集成低噪声放大器.一种应用于宽带LNA的匹配技术被引入到窄带LNA的设计中,不仅实现了噪声和阻抗的同时匹配,而且减小了用于输入匹配的电感,降低了由匹配电感寄生电阻引起的噪声.在2.4GHz处,低噪声放大器的噪声系数(NF)达到1.03dB,功率增益为19.77dB,输入输出回波损耗大于10dB.
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