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使用高质量的Ge薄膜作为缓冲层，在Si(001)衬底上分子束外延生长出了晶体质量很好的、没有发生Sn表面分凝的Gel-xSnx(x=0.025、0.052和0.078)合金薄膜。Sn含量比较低时(～2.5％)，Gel-xSnx合金在500℃下可以稳定，因此有望在Si基光电子器件中得到应用。
分子束外延生长硅基Ge1-xSnx合金薄膜
【摘 要】
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使用高质量的Ge薄膜作为缓冲层，在Si(001)衬底上分子束外延生长出了晶体质量很好的、没有发生Sn表面分凝的Gel-xSnx(x=0.025、0.052和0.078)合金薄膜。Sn含量比较低时(～2.5％)，Gel
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
【出 处】
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第十二届全国固体薄膜会议
【发表日期】
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2010年期
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