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采用原子层沉积技术(ALD)对Si纳米锥表面进行钝化。在标准沉积和退火条件下考察界面预处理对ALD沉积Al2O3钝化Si纳米锥结构钝化效果的影响。实验结果表明,表面处理对Al2O3钝化Si纳米结构影响显著,获得最佳处理条件是对该条件下制备的MOS器件表征,其反向漏电流密度为1×10-5A/cm2,且C-V测量获得最小迟滞。该项研究为Si纳米结构实现器件级表面钝化奠定基础。