【摘 要】
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采用中频磁控溅射结合阳极离子源复合技术,在n(100)型单晶硅及16MnCr5基体表面沉积了一系列含Al的a-C：H薄膜.本文重点研究了甲烷流量对a-C：H(Al)薄膜性能的影响.结果 表明,采用中频磁控溅射Al靶,以CH4气体为碳源,成功制备出了a-C：H(Al)薄膜；随着CH4流量的增加,薄膜的沉积速率先增加后减小；所制备的Al-DLC膜厚为1.89μm,硬度为1148.11HV,比a-C：H
【机 构】
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中南大学 材料科学与工程学院,长沙 410083;广东省新材料研究所,现代材料表面工程技术国家工程实验室,广东省现代表面工程技术重点实验室,广州 510650
【出 处】
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第十一届全国表面工程大会暨第八届全国青年表面工程学术会议
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采用中频磁控溅射结合阳极离子源复合技术,在n(100)型单晶硅及16MnCr5基体表面沉积了一系列含Al的a-C：H薄膜.本文重点研究了甲烷流量对a-C：H(Al)薄膜性能的影响.结果 表明,采用中频磁控溅射Al靶,以CH4气体为碳源,成功制备出了a-C：H(Al)薄膜；随着CH4流量的增加,薄膜的沉积速率先增加后减小；所制备的Al-DLC膜厚为1.89μm,硬度为1148.11HV,比a-C：H薄膜硬度略低,主要是因为Al元素属于中等硬度金属元素,以Al原子的形式镶嵌在碳膜中,而不以与C形成碳化物的形式存在；当CH4流量超过50sccm时,由于过量的碳沉积在Al靶表面,溅射出的Al元素非常少,使薄膜内应力较大,出现崩膜现象.
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