【摘 要】
：
高性能、低成本的太阳能薄膜电池是有效利用太阳能、缓解能源危机的关键，在低成本的Si衬底上外延高性能的Ge 薄膜作为Ⅲ-Ⅴ 族太阳能电池的虚拟衬底是一个重要突破口。利用磁控溅射法制备了不同厚度的Si 基Ge 薄膜虚拟衬底，并对其进行高温退火处理，研究了Si 基Ge 薄膜的生长机理及其结构性能。
【机 构】
：
北京工业大学应用数理学院 北京 100124
论文部分内容阅读
高性能、低成本的太阳能薄膜电池是有效利用太阳能、缓解能源危机的关键，在低成本的Si衬底上外延高性能的Ge 薄膜作为Ⅲ-Ⅴ 族太阳能电池的虚拟衬底是一个重要突破口。利用磁控溅射法制备了不同厚度的Si 基Ge 薄膜虚拟衬底，并对其进行高温退火处理，研究了Si 基Ge 薄膜的生长机理及其结构性能。
其他文献
作为构筑微纳米器件与电路的基本结构单元，金属纳米间隙电极对表现出诸多优异的特性，在单分子测量、拉曼与荧光增强、超快光探测、量子光学等方向存在广泛应用。然而，由于纳米量级的尺度，现有的微纳米加工技术已然不能满足金属纳米间隙电极对的制备要求。虽然到目前为止人们已经提出了多种制备纳米间隙电极对的方法，但是各个方法并不能完全满足现有的制备纳米器件并以此为基础来构筑超集成电路的要求。
Bi(111)表面具有很强的自旋—轨道耦合作用和各向异性,使得其表面电子态出现多能谷(multi valleys)的能带结构并具有涡旋状的自旋特征1,2.然而,因其表面态与体态的之间的耦合作用,一般的输运测量很难清楚地获得Bi(111)表面态自身的性质.
The pairing mechanism of high-temperature superconductivity in cuprates remains the biggest unresolved mystery in condensed matter physics.To solve the problem,one of the most effective approaches is
The oriented attachment(OA)of nanoparticles is an important mechanism for the synthesis of the crystals of inorganic functional materials.For years it has been generally acknowledged that OA is a phys
随着柔性电子器件制造的快速发展，印刷电子技术被越来越多的科研人员所关注.对大部分有关柔性印制电路板的制作工艺，后期的加热烧结过程是必要环节，其中一个主要原因是目前广泛使用的纳米颗粒型墨水以及有机金属前躯体墨水，在形成目标图形中均需要高温加热烧结1-2.因此，常规的印刷电子工艺限制了具有较低玻璃化转变温度的高分子薄膜衬底的应用.
ZnO 作为第三代宽禁带半导体,提升其光电特性一直是研究ZnO 的一个热点问题。本文研究了准分子激光辐照ZnO 单晶后,单晶的结构、表面形貌和光电特性的变化。经过能量密度为257mJ/cm2 的准分子激光辐照后,ZnO 单晶展示出了一系列变化：XRD 和拉曼光谱结果表明辐照后ZnO单晶的结晶质量只发生了轻微的变化；辐照后ZnO 单晶的电阻率下降了两个数量级,载流子浓度增加了一个数量级。
采用共蒸镀法在石英衬底上制备MoO3 掺杂Rubrene 混合薄膜(1：1)，薄膜的紫外-可见-近红外吸收光谱表明，在近红外波段出现强烈吸收，表明混合膜中形成激基复合物，基于Tauc 公式求得该吸收带对应能级为1.24 eV.
优质样品的生长是拓扑绝缘体研究的关键问题。我们系统研究了Bi2Te3基拓扑绝缘体的生长，开展如下工作：1)在研究时效处理的铜掺杂碲化铋样品中提出了Cu原子的扩散——隧穿——团簇动力学过程。通过SDH振荡的Landau--‐放digram表现出来的π贝利相位和WAL效应证实二维表面态的拓扑属性。
表面科学研究的重要性和挑战性并存。随着纳米科技的发展，材料的表面、界面性质越来越重要。由于外界环境的不可控影响，以及材料本身的特殊性质，纳米材料的表征技术遇到了极大的挑战。材料一旦暴露大气，表面不可避免会被沾污或氧化，其本征性质就会被破坏。而且由于其不可控性，引入的表面、界面态被认为是导致器件性能差或不稳定的根本原因。
By both in situ scanning tunneling microscopy/spectroscopy and ex situ transport and magnetization measurements,we find that the two-atomic-layer Ga film with graphene-like structure on wide band-gap