面内晶畴取向影响的Fe3Si薄膜的各向异性磁性和电输运特性

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kangj04
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Fe3Si是一种具有高自旋极化率和高居里温度的二元Heusler合金,并且具有高硬度,抗腐蚀,低电导率等优点,因而在自旋电子器件中具有潜在的应用前景[1].我们研究了在不同取向的MgO基底上用磁控溅射法制备的Fe3Si薄膜的结构、磁性和电输运特性.
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ZnS作为宽禁带半导体材料,由于有较大的激子束缚能(38meV),已在激光器、传感器、背光源等有广泛应用.ZnS纳米线、纳米带,薄膜等表现出与块体材料不同的特征,已引起了广泛的关注.
基于CoFeB-MgO的磁性隧道结由于具有极高的TMR比值(室温604%[1])而被人们广泛研究.为了有效提高V1/2(TMR比值下降到最大值的一半时外界所施加的电压),双势垒磁性隧道结成为研究热点,因为双势垒可以简单地被认为是两个单势垒的串联,而串联可以分压.
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各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance,AMR)在磁电阻随机存储器、磁记录和磁性传感器等方面具有重要的应用价值.在传统理论中,AMR可表示为,其中和分别为电流和磁化强度平行和垂直时的电阻率[1].
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