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本文研究了非制冷红外探测器的敏感元件--非晶硅薄膜晶体管,成功制备了接触层离子注入型的非晶硅薄膜晶体管,并得到了良好的电特性和热电特性.基于此敏感单元的非制冷红外探测器工艺制备简单,制备温度不超过300℃,并能常规IC工艺兼容.
基于非晶硅薄膜晶体管的非制冷红外探测器
【摘 要】
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本文研究了非制冷红外探测器的敏感元件--非晶硅薄膜晶体管,成功制备了接触层离子注入型的非晶硅薄膜晶体管,并得到了良好的电特性和热电特性.基于此敏感单元的非制冷红外探
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,北京,100084
【出 处】
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第九届全国敏感元件与传感器学术会议
【发表日期】
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2005年期
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