论文部分内容阅读
硅-石墨烯肖特基结太阳电池是下一代高效、低成本太阳电池的有力竞争者，近几年来吸引了广泛的关注.然而，目前硅-石墨烯太阳电池的光伏性能仍有待提高.在本工作中，我们在硅和铝背电极间，用热蒸镀法插入一层超薄的氟化锂(LiF)插层，有效抑制了器件的背面复合，使得器件的长波段外量子效率显著提高.进一步研究发现，引入超薄LiF插层后，硅-铝接触电阻明显降低，从而提高器件的填充因子.对于本征的硅-石墨烯太阳电池，我们获得的光电转换效率达6.25％，并具有良好的稳定性.经硝酸掺杂后，器件性能可进一步提高至10.61％.该研究为高效的硅-石墨烯肖特基结太阳电池的器件设计提供了新思路.