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新颖衬底ScAlMgO4晶体生长的数值模拟与物理性质研究
新颖衬底ScAlMgO4晶体生长的数值模拟与物理性质研究
来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tadpoleFLY
【摘 要】
:
ScAlMgO4是一种优秀的外延衬底材料,与ZnO、GaN的晶格失配度很小,可以减少薄膜中的位错等缺陷,显著提高薄膜的光学和电学性能,有望提高发光元件的亮度,具有重要的应用前
【作 者】
:
叶宁
陈昱
颜涛
王继扬
【机 构】
:
中国科学院福建物质结构研究所
【出 处】
:
第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
:
2015年期
【关键词】
:
衬底材料
晶体生长
数值模拟
物理
晶格失配度
应用前景
发光元件
电学性能
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ScAlMgO4是一种优秀的外延衬底材料,与ZnO、GaN的晶格失配度很小,可以减少薄膜中的位错等缺陷,显著提高薄膜的光学和电学性能,有望提高发光元件的亮度,具有重要的应用前景 [1,2]。
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