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磁传感器广泛应用于计算机读出磁头、电子罗盘、GPS导航、车辆探测系统等,其核心技术就是巨磁阻效应,该效应的发明人获2007年诺贝尔物理奖.通常巨磁阻材料是用磁性金属材料制备的, 半导体材料虽然也可以有磁电阻,但是数值太小,没有应用价值.我们通过在硅材料里面引入p-n结来改变载流子的通路和巧妙设计器件的电极位置和几何尺寸,我们发明了一种用硅制备的p-n结导致的临界增强的巨磁电阻器件,该器件在0.06特斯拉和7特斯拉下分别实现了30％和100,000％的磁电阻.随着器件的微型化和结构优化,器件性能还能继续提升.该工作发表在《Nature》上[1].该工作还入选2011年度"中国科学十大进展"和2011年度"中国高等学校十大科技进展".