【摘 要】
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以无机盐为出发原料,利用溶胶-凝胶法制备了F掺杂的SnO2透明导电薄膜.分别运用四脚探针和紫外-可见光分光光度计测量薄膜的方块电阻和可见光范围内的透过率.研究了不同F掺杂源、F掺杂量以及热处理温度对薄膜的制备及性能的影响,运用X-ray衍射分析了薄膜的晶体结构和晶粒尺寸,结果表明:经5mol％H2SiF6掺杂的薄膜在380℃热处理后,其性能最佳,表面电阻约为2800 Ω/□,透过率高于80％,薄膜
【机 构】
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西安理工大学材料科学与工程学院,西安,710048
【出 处】
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2002年西部地区纳米技术与应用研讨会
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以无机盐为出发原料,利用溶胶-凝胶法制备了F掺杂的SnO2透明导电薄膜.分别运用四脚探针和紫外-可见光分光光度计测量薄膜的方块电阻和可见光范围内的透过率.研究了不同F掺杂源、F掺杂量以及热处理温度对薄膜的制备及性能的影响,运用X-ray衍射分析了薄膜的晶体结构和晶粒尺寸,结果表明:经5mol％H2SiF6掺杂的薄膜在380℃热处理后,其性能最佳,表面电阻约为2800 Ω/□,透过率高于80％,薄膜晶粒尺寸在40.5nm左右.
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