【摘 要】
:
本文利用水热法结合高温退火的方法制备了ZnO/ZnFe2O4纳米粒子。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光光谱(PL)对退火前后的ZnO/ZnFe2O4纳米粒子进行表征。XRD与SEM结果表明,制备的纳米粒子主要由六角纤锌矿结构的ZnO和立方结构的ZnFe2O4构成,退火后晶体质量明显变好,粒径平均135nm左右。PL观察到退火后,与ZnO带隙相关的发光强度明显降低。这是由于
【机 构】
:
Changchun Uniersity of Science and Technology, Changchun, 130022, China
【出 处】
:
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
本文利用水热法结合高温退火的方法制备了ZnO/ZnFe2O4纳米粒子。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光光谱(PL)对退火前后的ZnO/ZnFe2O4纳米粒子进行表征。XRD与SEM结果表明,制备的纳米粒子主要由六角纤锌矿结构的ZnO和立方结构的ZnFe2O4构成,退火后晶体质量明显变好,粒径平均135nm左右。PL观察到退火后,与ZnO带隙相关的发光强度明显降低。这是由于ZnO/ZnFe2O4形成了type-Ⅱ能带异质结实现了光生载流子的分离的结果。最后以甲基橙为目标污染物,退火后的ZnO/ZnFe2O4纳米粒子4h的降解率为60.32%。因此,具有载流子分离能力的ZnO/ZnFe2O4纳米粒子在光催化领域有很好的发展前景。
其他文献
网络百科信息抽取对于大规模知识库的构建具有重要的意义。属性抽取是信息抽取的一种,属性抽取的两个关键问题是:属性名称的抽取和属性值的抽取。本文提出了基于关联规则挖掘的属性名称抽取方法,该方法将属性值看作命名实体,对同类别百科条目进行频繁模式的挖掘,通过分析频繁模式中词语与命名实体之间的关联关系,找出属性描述关键词并生成属性名称。本文对多个类别中文百科条目进行属性名称抽取实验,实验结果表明了该方法的可
室内网络规划是WCDMA系统网络规划的一个课题,本文假定可以利用2G的室内天线分布系统来建设3G的室内覆盖,探讨了宽带码分多址的室内规划流程。
本文主要阐述了HSDPA业务速率的特点、统计方法、制约因素,进行了深入的原因分析,并结合现网案例阐述了常用的问题处理流程。
利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO∶Al薄膜结构,研究了该结构的发光特性。结果表明,在ZnO:Al薄膜表面镀一层Al岛薄膜可以增强其带边荧光,同时在475 nm附近产生蓝光峰。通过在Al岛薄膜和ZnO∶Al薄膜之间引入一层5nm的Ta205绝缘层可以使ZnO∶Al薄膜的带边荧光和蓝光显著增强,并随着Ta2.05绝缘层厚度的增大而减弱。而且,通过对Al/ZnO:Al样品进行退火处理可以使蓝光峰增
利用石英衬底,通过射频磁控溅射技术在其表面制备银电极,构造Ag/ZnO微米线/Ag肖特基型MSM结构紫外光电探测器。在325 nm紫外光照射下对该器件的光电响应性能进行了测试,该器件具有105高光电流增益,这一高光电流增益归因于该器件独特的肖特基接触结构和微米线六重对称产生的回音壁模增强效应。该器件光电流增益对紫外光强度遵循幂率关系G(∝)P0.69,结果说明该肖特基紫外光响应器件的高光电流增益内
利用脉冲激光沉积技术,选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材,在非晶石英衬底上研究氧气流量对Mg1-xZnxO合金薄膜生长取向的影响。研究结果表明:在低压、低氧气流量条件下薄膜的成核生长主要受控于晶面的表面能,薄膜为(200)晶向;在沉积压强8.0Pa、高氧气流量条件下,反应粒子的能量降低,不同取向晶粒的生长速率发生变化,导致薄膜的生长取向发生变化,晶向由(200)变为(111)。
通过第一性原理研究了ZnO本征半导体中本征缺陷和H杂质对ZnO dO铁磁性的影响。结果表明:单个锌空位(VZn)可以产生1.73μB磁矩,而氧空位(Vo)不能产生磁性,但是锌空位缺陷形成能比氧空位缺陷形成能要高出很多。当H杂质存在时,VZn+-II复合缺陷的缺陷形成能比VZn低了很多,同时V2n+H1复合缺陷仍然可以产生099 (0.65)μB磁矩。进一步研究表明:当两个VZn+H1复合缺陷存在时
ZnO是一种宽禁带、直接带隙半导体材料,具有优良的光电特性,其具有的强激子结合能的特点使其成为一种理想的紫外激光材料。近年来,在氧化锌的各种微/纳米结构(纳米碟、纳米钉、微米线、纳米线等)中都观察到了紫外激射现象。根据产生机制的不同,氧化锌紫外激射分为三类,即:随机激光、F-P激光和回音壁模(WGM)激光。其中,回音壁模式激光,因光线在六边形氧化锌微腔内部作全反射传播而更易形成高品质因子、低激射阈
采用光辅助金属有机化合物气相沉积方法在c面蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜。实验结果表明光辅助的引入对ZnO薄膜的特性具有很大的影响。SEM测试结果表明,光辅助的引入使得ZnO从三维的纳米柱形式转变成二维的致密薄膜形式。同时,XRD0-20结果也证实了光辅助对ZnO薄膜晶体质量的改进,ZnO (002)衍射峰摇摆曲线的半高宽从1656弧秒降为284弧秒。此外,PL测试结果表明光辅助条件下制备的ZnO具有
利用离子源辅助双源电子束沉积技术,制备了YbF3-In2O3新型透明导电薄膜。该薄膜在可见区具有良好的透射率(平均透射率为86.6%),其导电性(25Ω/□)可与ITO相比拟,且该导电膜具有高的功函数(5.32eV)和良好的界面特性。用此导电薄膜制备的有机薄膜太阳能电池与ITO阳极器件相比具有显著提升的性能。