【摘 要】
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以Se粉和铁带为原材料,采用气体扩散法制备了FeSe超导带.本文详细介绍了FeSe超导带的制备方法,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和综合物性分析系统(PPMS)等分析测量技术研究了FeSe超导带的结构、形貌、成分以及电输运特性.结果表明制备的FeSe超导带以四方晶系的PbO型FeSe为主晶相,其TCZERO=9.3K,临界电流JC=137A/cm2(4K,0
【机 构】
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中国科学院电工研究所,北京100190
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以Se粉和铁带为原材料,采用气体扩散法制备了FeSe超导带.本文详细介绍了FeSe超导带的制备方法,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和综合物性分析系统(PPMS)等分析测量技术研究了FeSe超导带的结构、形貌、成分以及电输运特性.结果表明制备的FeSe超导带以四方晶系的PbO型FeSe为主晶相,其TCZERO=9.3K,临界电流JC=137A/cm2(4K,0T).
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纳米颗粒基板表面修饰是一种很好的制备高钉扎性能超导薄膜的方法,为了获得良好的工程表面,控制纳米颗粒的尺寸、密度、分布等是关键.本文采用MOD法在LaA1O3单晶基板上制备了Ce0.2Zr0.8O2纳米颗粒.除了调节工艺参数的方法外,我们在制备纳米颗粒的同时,通过改变沉积表面的晶面控制表面划痕或凸起,为沉积的纳米颗粒提供形核中心,从而实现了纳米颗粒密度的控制.同时表面划痕或凸起的间距能很好地控制颗粒
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