液相外延法生长掺Bi磁光单晶薄膜材料

来源 :第十六届全国微波磁学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wf931

【摘要】

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现代光纤通信系统需要小型化的隔离器等磁光器件,就要求法拉第旋转子材料有大的旋光率、适合的饱和外场、小的插入损耗.本文介绍一种以PbO/B203/Bi203为助溶剂的溶液中,用液

【作者】

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陈运茂游斌姜帆

【机构】

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中国电子科技集团公司第九研究所四川绵阳621000

【出处】

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第十六届全国微波磁学会议

【发表日期】

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2013年8期

【关键词】

：

掺铋磁光单晶薄膜材料液相外延法参数优化旋光率

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现代光纤通信系统需要小型化的隔离器等磁光器件,就要求法拉第旋转子材料有大的旋光率、适合的饱和外场、小的插入损耗.本文介绍一种以PbO/B203/Bi203为助溶剂的溶液中,用液相外延法在CaMgZr:GGG基片上生长(ReBi)3Fe5012单晶薄膜材料的方法,生长出的单晶薄膜材料厚度≥470μm、在λ=1310nm波长下旋光率≥1600°/cm,可制成45 °法拉第旋转子.

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