Resonant Tunneling Effect of InAs Quantum Dots

来源 :2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaoyaozhu

【摘要】

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　　InAs quantum dots grown on InA1As/InP were discussed by Lumerical software in this paper.By discussing current-voltage characteristics curve (I-V) and capac

【作者】

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B.Zhang;W.G.Ning;F.M.Guo;

【机构】

：

Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, Key Laboratory of Polar Material

【出处】

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2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

【发表日期】

：

2016年期

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　　InAs quantum dots grown on InA1As/InP were discussed by Lumerical software in this paper.By discussing current-voltage characteristics curve (I-V) and capacity-voltage characteristics curve (C-V), we found that resonant tunneling effect of InAs QDs and barrier of InP and InA1As result in the asymmetry of I-V.

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