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由于拓扑绝缘体的表面态具有自旋动量锁定的特性,所以在表面会存在自旋极化的电流,我们的实验目的是探测到自旋极化的电流[1].我们用单晶熔融法方法成功制备了四元(Bi1.2Sb0.8Te1Se2)拓扑绝缘体块材,EDS mapping显示每个元素在块材中是均匀分布的.
拓扑绝缘体中的极化自旋流
【摘 要】
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由于拓扑绝缘体的表面态具有自旋动量锁定的特性,所以在表面会存在自旋极化的电流,我们的实验目的是探测到自旋极化的电流[1].我们用单晶熔融法方法成功制备了四元(Bi1.2
【机 构】
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江苏省,南京市 210000,南京大学,电子科学与工程学院
【出 处】
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中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
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2015年期
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