【摘 要】
：
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在半绝缘4H-SiC和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料.所研制的HEM
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所,北京,100083
【出 处】
：
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在半绝缘4H-SiC和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料.所研制的HEMT结构材料室温电子迁移率和二维电子气浓度分别为2215cm2/Vs和1.044×1013cm-2;三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)分析表明该材料具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射峰的半高宽小于等于3.24 arcmin,GaN(10-12)衍射峰的半高宽小于等于4.50 arcmin,10μm×10μm扫描面积的表面粗糙度小于等于0.33 nm.2英寸HEMT外延片具有低的平均方块电阻和非常好的方块电阻均匀性,平均方块电阻不高于253.7Ω/(□),方块电阻不均匀性小于2.02％.用以上材料,研制出了1 mm栅宽AlGaN/GaN HEMT器件,在8GHz频率连续波输入下,实测得到的饱和输出功率密度为8.25W/mm,相应功率附加效率为39.4％.对研制的器件进行了可靠性测试,器件连续工作半小时后,输出功率只下降了0.1dB,表明研制的器件具备了一定的可靠性.
其他文献
使用金属有机物气相沉淀方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量
根据空军关于《学习贯彻》通知精神,我部认真组织宣传学习活动,并密切结合实际,严格抓好贯彻落实,有力地促进了部队航空卫生保障质量的提高。主要做法如下: 1 领导高度重视,
在這次討論電影“武訓传”中,牽涉到了陶行知先生,那就是陶先生曾在晚年表揚過“武訓精神”。這已有人提出了批評,那是需要的。陶先生曾經说過:“武訓先生的精神可以用三个
在GaAs衬底上使用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较之单层结构发光峰位红移180 nm,实现了1.3微米发光.结
研究了在无定型衬底上采用MBE手段生长的GaAs薄膜.在玻璃衬底上,400℃直接生长的GaAs薄膜为无定型态,但经过2个小时的原位恒温(400℃)处理后,无定型态GaAs薄膜变成多晶态,其
一、蘇聯幼兒教育的概况 偉大的列寧,奠立了蘇維埃國家的基礎,領導我國走上社會主義之路,結束了俄國許多世紀以來人對人的剝削制度。列寧的道路,不僅是我國的新道路,也是引
李仪祉先生是我国近代著名的水利专家。陕西蒲城县富源村人,生于1882年。幼时在私塾念书,17岁入泾阳县崇实书院。1904年考取京师大学堂,进预科德文班。1909年毕业后,适值陕
本文采用磁控溅生长技术在GaAs(100),Si(100),Si(111),Al2O3(0001)和玻璃等不同衬底生长GaN薄膜.同时采用X射线双晶衍射,光致发光光谱和Raman散射谱等技术对薄膜的结构进行表
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅
太赫兹(THz)辐射源是THz频段应用的由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点.本文简要介绍了THzQCL的研究进展.