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采用三光束激光干涉法在GaN LED表面制作光子晶体结构.实验表明,当激光功率140m时,能够制作具有直径360nm,孔深78nm,周期410nm的六角晶格光子晶体.结果显示光子晶体对于GaN LED的光提取效率同样起到了明显的效果,LED的输出光强比常规结构LED最大提高55.7％.
基于短脉冲激光干涉技术制备光子晶体LED的研究
【摘 要】
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采用三光束激光干涉法在GaN LED表面制作光子晶体结构.实验表明,当激光功率140m时,能够制作具有直径360nm,孔深78nm,周期410nm的六角晶格光子晶体.结果显示光子晶体对于G
【机 构】
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东南大学电子科学与工程学院,光传感/通信综合网络国家地方联合研究中心,南京210096
【出 处】
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全国第17次光纤通信暨第18届集成光学学术会议
【发表日期】
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2015年期
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