【摘 要】
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采用21μm GaInP／GaHBT工艺研制了覆盖3G／LTE所有频段的高线性驱动放大器。放大器为1级有源偏置设计，部分输入输出匹配需要在外电路实现，芯片尺寸：0.77mm×0.8mm。在5V、130mA工作
【机 构】
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南京电子器件研究所,江苏南京,210016
【出 处】
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2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议
论文部分内容阅读
采用21μm GaInP／GaHBT工艺研制了覆盖3G／LTE所有频段的高线性驱动放大器。放大器为1级有源偏置设计，部分输入输出匹配需要在外电路实现，芯片尺寸：0.77mm×0.8mm。在5V、130mA工作状态下，达到:Cain=13.6dB@2.6GHz，OIP3=44dBm@2.6GHz，输出功率1dB压缩点P1dB=25.5dBm@2.6GHz。
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