【摘 要】
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区域规整聚 3-己基噻吩(P3HT)作为一种 p-型半导体材料因其优异的电学性能[1],化学稳定性及易加工[2]等性质而在聚合物场效应晶体管(OFETs),太阳能电池领域广泛应用。本
【机 构】
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中国科学院大学 长春应用化学研究所,长春,130022
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区域规整聚 3-己基噻吩(P3HT)作为一种 p-型半导体材料因其优异的电学性能[1],化学稳定性及易加工[2]等性质而在聚合物场效应晶体管(OFETs),太阳能电池领域广泛应用。本工作主要是研究了一种简便有效的方法来获得取向 P3HT 薄膜。我们发现往 P3HT/ODCB(2 mg/mL)的稀溶液中滴加不良溶剂形成的纳米晶须/不良溶剂/良溶剂混合溶液,在玻璃基底上缓慢挥发的过程中会形成 P3HT 晶须取向的薄膜。我们的研究表明通过这种方法获得的 P3HT 纳米晶须取向程度与所选用的不良溶剂紧密相关,采用六氟苯(C6F6)作为不良溶剂获得的晶须取向度最高,而 N,N-二氟甲酰胺(DMF)作为不良溶剂获得的晶须取向度最低。
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