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电源是镀膜质量提高的关键控制因素之一，通过改变放电模式提高沉积速率是可行的，提出一种新型高离化率、高沉积速率磁控溅射技术，沉积速率最大提高为35倍，离化率提高约3倍，薄膜更加致密，新型放电模式DLC沉积可达150um，新型放电模式，获得纯TiN硬度＞40GPa,＞100N。
高功率脉冲磁控(HiPIMS)具有常规直流磁控的沉积速率可能吗
【摘 要】
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电源是镀膜质量提高的关键控制因素之一，通过改变放电模式提高沉积速率是可行的，提出一种新型高离化率、高沉积速率磁控溅射技术，沉积速率最大提高为35倍，离化率提高约3倍，薄膜更
【机 构】
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哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室等离子体表面技术与设备研究所
【出 处】
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第十二届海峡两岸薄膜科学与技术研讨会
【发表日期】
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2016年10期
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