中物院小角中子散射谱仪及其在高分子材料研究中的应用

来源 :2015年全国高分子学术论文报告会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a7281423123
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  小角中子散射(SANS)技术在高分子材料研究中有着不可比拟的优势,高分子领域两个诺贝尔奖工作(Flory 的高分子链构象统计理论和de Gennes 蛇行理论)的直接证实都源自中子散射或反射。
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