【摘 要】
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采用金属催化的化学刻蚀法,制备一维多孔硅纳米线。相对于无孔实心的硅纳米线,多孔硅纳米线增大比表面积,并引入了由多孔化而产生的量子效应。因此近年来引起了人们对其
【机 构】
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香港浸会大学物理系,先进材料所,环境与生物分析国家重点实验室,九龙塘,香港
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采用金属催化的化学刻蚀法,制备一维多孔硅纳米线。相对于无孔实心的硅纳米线,多孔硅纳米线增大比表面积,并引入了由多孔化而产生的量子效应。因此近年来引起了人们对其基础及应用研究的关注。该报告将深入讨论刻蚀的机制问题[1,2],基本的光学性质[3],光致发光的调节及机理[1,4],表面的分子修饰,以及如何将多孔硅纳米线转移至柔性基底上的研究进展。
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