【摘 要】
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采用化学溶液沉积法在硅(100)衬底上制备了以BiTiO为隔离层的PZT铁电薄膜,研究测量了退火温度、时间对薄膜的晶体结构和表面形貌的影响,结果表明,在750℃退火10min可以得到结晶性较好、具有单一钙钛矿结构PbZrTiO的薄膜.薄膜表面无裂纹、晶粒排列致密、晶粒大小及分布均匀.薄膜的介电常数为59.4,介电损耗为0.016.偏压从-10～10V,记忆窗口为2V.外加电压达11V时,漏电流密度
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室(山东济南) 中国科学院集成光电子国家重点实验室(北京)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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采用化学溶液沉积法在硅(100)衬底上制备了以Bi<,2>Ti<,2>O<,7>为隔离层的PZT铁电薄膜,研究测量了退火温度、时间对薄膜的晶体结构和表面形貌的影响,结果表明,在750℃退火10min可以得到结晶性较好、具有单一钙钛矿结构PbZr<,0.5>Ti<,0.5>O<,3>的薄膜.薄膜表面无裂纹、晶粒排列致密、晶粒大小及分布均匀.薄膜的介电常数为59.4,介电损耗为0.016.偏压从-10～10V,记忆窗口为2V.外加电压达11V时,漏电流密度为1.28×10<-8>A/cm<2>.说明薄膜的绝缘性很好.PZT/Bi<,2>Ti<,2>O<,7>/Si薄膜适合于制备新型铁电场效应器件.
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