【摘 要】
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使用高分辨X射线衍射(HRXRD)的测量,研究了室温下5.3MeVKr离子辐照的InGaN/GaN 异质结。Kr离子的辐照剂量范围为1011～1013cm-2。实验结果表明当辐照剂量达到1×1013cm-2时,InG
【机 构】
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中国科学院近代物理研究所,兰州 730000 兰州大学核科学与技术学院,兰州 730000
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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使用高分辨X射线衍射(HRXRD)的测量,研究了室温下5.3MeVKr离子辐照的InGaN/GaN 异质结。Kr离子的辐照剂量范围为1011～1013cm-2。实验结果表明当辐照剂量达到1×1013cm-2时,InGan和GaN层的结构均发生了明显的变化。GaN层被分成了晶格膨胀程度不同的几个损伤层,而InGaN层则发生了均匀的晶格膨胀。GaN薄膜的层状结构以及GaN和InGaN辐照效应的差异被讨论.
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