【摘 要】
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给出了一个用约束刻蚀剂层技术对金属铜进行微区电化学刻蚀的电化学体系,并考查了约束剂的效果以及电流密度对被刻蚀区域显微结构的影响.结果表明,所用约束剂对扩散层有较好的约束作用;在低电流密度下刻蚀时会产生晶界优先腐蚀;一个能产生各向同性刻蚀的电流密度被确定.用AFM对孔深进行了表征.
【机 构】
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厦门大学化学系,固体表面物理化学国家重点实验室(厦门) 哈尔滨工业大学机器人研究所(哈尔滨)
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给出了一个用约束刻蚀剂层技术对金属铜进行微区电化学刻蚀的电化学体系,并考查了约束剂的效果以及电流密度对被刻蚀区域显微结构的影响.结果表明,所用约束剂对扩散层有较好的约束作用;在低电流密度下刻蚀时会产生晶界优先腐蚀;一个能产生各向同性刻蚀的电流密度被确定.用AFM对孔深进行了表征.
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