论文部分内容阅读
对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究.结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于厚度和氧化物质量的原因而对总剂量辐照更加敏感;辐照引入界面态陷阱电荷的散射作用降低了正栅源漏饱和电流;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷,使得退火后背栅曲线仍距初始值有一定负向距离.