【摘 要】
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本文采用射频磁控反应溅射法制备了SiCN薄膜,利用台阶仪、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)表征了薄膜的形貌结构.研究了工艺参数如射频功率、N2/Ar工作气流量比以及快速热
【机 构】
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中南大学物理科学与技术学院,长沙 410083
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本文采用射频磁控反应溅射法制备了SiCN薄膜,利用台阶仪、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)表征了薄膜的形貌结构.研究了工艺参数如射频功率、N2/Ar工作气流量比以及快速热处理对薄膜沉积速率、表面形貌、物相结构的影响.结果表明:溅射功率的提高使沉积速率随之提高,但所得薄膜的表面粗糙度也随之变大;N2/Ar流量比的增大对沉积速率的影响不大,但能明显减少薄膜表面粗糙度;沉积态SiCN薄膜为无定型的非晶结构.有很好的热稳定性,经1200℃退火后才出现微弱的晶相,晶化温度在1000℃以上.
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