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采用射频磁控溅射技术制备了结构简单的n-ZnO／n-GaN同型异质结紫外发光二极管。在此基础上，于ZnO与GaN之间插入i型MgZnO层形成n-ZnO／i-MgZnO／n-GaN发光二极管，呈现出优异的紫外电致发光性能。发光峰位于368 nm附近，半岛宽约7nm，器件的阈值电压是3.0 V，根据能带结构理论研究了器件的电致发光机制。