噻吩与HX(X=F,Cl,Br,I)相互作用的理论研究

来源 :中国化学会全国第十二届大环化学、第四届超分子化学学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zjfayy

【摘要】

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本文在MP2/6-311++Gd(d,p)水平系统地研究了噻吩和卤化氢,CHS-HX(X=F,Cl,I)形成的复合物体系.在优化的几何结构中,HX位于噻吩环的上方,X原子基本位于噻吩环的正上方,H原子和噻吩的C2和C3周围的π-电子形成X-H…π键,它与静电势分布是一致的.MP2/6-311++G(3d,3p)水平的结合能表明是比较强的分子间相互作用,基本质是静电和轨道共同作用.

【作者】

：

黄冬梅王一波

【机构】

：

贵州大学化学系贵州省高性能计算化学重点实验室(贵阳)

【出处】

：

中国化学会全国第十二届大环化学、第四届超分子化学学术讨论会

【发表日期】

：

2004年10期

【关键词】

：

噻吩芳香杂环噻吩电子密度均衡校正法函数重叠误差

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本文在MP2/6-311++Gd(d,p)水平系统地研究了噻吩和卤化氢,C<,4>H<,4>S-HX(X=F,Cl,I)形成的复合物体系.在优化的几何结构中,HX位于噻吩环的上方,X原子基本位于噻吩环的正上方,H原子和噻吩的C2和C3周围的π-电子形成X-H…π键,它与静电势分布是一致的.MP2/6-311++G(3d,3p)水平的结合能表明是比较强的分子间相互作用,基本质是静电和轨道共同作用.

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