【摘 要】
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采用气相掺N，掺Zn过补偿液相外延工艺，以H为载气和保护气氛生长H为载气和保护气氛生长GaP:N时，当H中O和HO的含量过高时，外延片的光致发光谱中出现C-S峰，并且降低了外延片的含N量；外
【出 处】
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第七届全国LED产业研讨与学术会议
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采用气相掺N，掺Zn过补偿液相外延工艺，以H<,2>为载气和保护气氛生长H<,2>为载气和保护气氛生长GaP:N时，当H<,2>中O<,2>和H<,2>O的含量过高时，外延片的光致发光谱中出现C-S峰，并且降低了外延片的含N量；外延片的电致发光光谱中出现一个较大的红峰，该峰是由Zn-O对引起的。
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