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在磁控溅射氧化镍、钽酸锂等电变色薄膜器件的基础材料研究中得到的一个最基本的认识：薄膜的纳米结构对薄膜的制备与性能的控制是至关重要的。对于具有优异离子注入特性和电变色性能的薄膜，其结构必须控制在纳米尺寸上，并应具有高的晶界体积分数和界面缺陷。通过工艺参数和薄膜的后处理，可以控制晶界结构，按应用需要对薄膜的结构和性能进行设计，而且通过这种控制可实现ＩＴＯ薄膜向典型的电子电导向离子导电转变。