【摘 要】
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通过电场调控磁性对于发展低能耗的自旋器件尤其是正在兴起的反铁磁自旋电子学器件具有重要意义。本文研究了界面工程在电场调控反铁磁金属IrMn以及调控IrMn/[Co/Pt]垂直交换耦合中的重要作用。实验通过在反铁磁IrMn和铁电基片PMN-PT之间插入不同种类、不同厚度的非磁性金属，结合霍尔器件探究了种子层对反铁磁磁矩的操控及IrMn/[Co/Pt]反常霍尔效应的影响。
【机 构】
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北京航空航天大学,北京,100191 清华大学,北京,100084
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通过电场调控磁性对于发展低能耗的自旋器件尤其是正在兴起的反铁磁自旋电子学器件具有重要意义。本文研究了界面工程在电场调控反铁磁金属IrMn以及调控IrMn/[Co/Pt]垂直交换耦合中的重要作用。实验通过在反铁磁IrMn和铁电基片PMN-PT之间插入不同种类、不同厚度的非磁性金属，结合霍尔器件探究了种子层对反铁磁磁矩的操控及IrMn/[Co/Pt]反常霍尔效应的影响。
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