【摘 要】
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采用理论分析和有限元数值模拟方法,研究了GaN薄膜/Si基底结构中GaN薄膜的断裂问题.结果表明,对于几种典型几何构形,残余应力正比于GaN的杨氏模量、薄膜基底的热膨胀系数之差
【机 构】
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清华大学工程力学系北京100084
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采用理论分析和有限元数值模拟方法,研究了GaN薄膜/Si基底结构中GaN薄膜的断裂问题.结果表明,对于几种典型几何构形,残余应力正比于GaN的杨氏模量、薄膜基底的热膨胀系数之差和降温温差;影响GaN薄膜/Si基底结构薄膜中残余应力分布的关键因素是宽厚比,宽厚比越大,薄膜越容易发生断裂.对于厚度为0.7μm的GaN薄膜,用有限元方法得到的开裂临界宽度为11μm.
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