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在SiO<,2>衬底上,利用快速热化学汽相沉积(RTCVD)及区熔再结晶(ZMR)方法,制备了多晶硅薄膜太阳电池,转换效率达到10.2﹪.
非硅衬底上转换效率10﹪的硅薄膜太阳电池
【摘 要】
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在SiO衬底上,利用快速热化学汽相沉积(RTCVD)及区熔再结晶(ZMR)方法,制备了多晶硅薄膜太阳电池,转换效率达到10.2﹪.
【机 构】
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北京市太阳能研究所
【出 处】
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中国第六届光伏会议
【发表日期】
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2000年期
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