VO₂（M）在68 ℃寸具有强烈的半导体-金属相变（SMT）,同时伴随着电阻率的急剧变化（103～104）,故VO₂（M）可是应用于非制冷红外探测器领域的最重要的材料之一。然而,较大的电阻温度系数对应的温度较高且温度区间狭窄,无法满足器件化应用需求。相比之下,VO₂（B）由于没有SMT现象引发的光电参数突变、热滞现象和1/f噪声,所以成为在非制冷红外探测器应用中表现出独特潜力的热敏材料。本文采用磁控溅射法制备VO₂薄膜。借助XRD、GIXRD、XPS、TEM、拉曼光谱、分光光度计和四探针电阻测试仪等手段对薄膜的物相,微结构以及电学性能进行了表征。论文主要包括以下方面的内容:利用实验室自制的VO₂纳米粉体烧结靶材制备了 VO₂薄膜,并探究了在磁控溅射法镀膜过程中,氧分压、退火温度、溅射时间对薄膜结构性能的影响。制备了具有高度取向的TiO₂（A）（101）缓冲层,并探索了该缓冲层在VO₂薄膜生长过程中对其晶体结构的影响。利用TiO₂（A）缓冲层所施加拉伸应变（约2.85%）,成功地诱导制备了具有高TCR（-3.48%/K）和合适方块电阻电阻（18.97 kΩ）的VO₂（B）薄膜,并通过第一性原理计算对薄膜结构和形成机理进行了详细的研究。所制备的薄膜具有优异的热敏特性,有利于非制冷红外探测领的应用。初步探究了大面积制备TiO₂缓冲层诱导生长的VO₂热敏薄膜工作,制备了具有优异电学性能的可用于非制冷红外探测器领域的高性能VO₂（B）热敏薄膜。综上所述,我们对关于VO₂薄膜的制备工艺条件、缓冲层的诱导作用和大面积制备方面做了较为有意义的基础研究工作。