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该文介绍一种新型无栅等离子体源辅助成膜技术。该技术的核心部分元栅等离子体源（ＧＩＳ）可在Φ１Ｍ的范围内形成均匀的等离子体，离子流密度高达０．５ｍＡ／ｃｍ〈’２〉，而所需阳极电流仅为４０Ａ、阳极功率３ｋＷ、Φ１Ｍ的范围内郭子流的均匀性为±１５℅，离子能量为５０ｅＶ－１５０ｅＶ。由于ＧＩＳ源的阴极抗氧化，使用寿命长，非常适合应用于光学镀膜。