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Nb掺杂TiO2(NTO)薄膜是一种新型的透明导电材料，由于其性能稳定、价格低廉，具有宽禁带、可见光透过率高、电阻率低等特性，所以有望替代需大量消耗稀有金属In的ITO薄膜材料。
氧含量对Nb掺杂TiO2透明导电薄膜结构与性能的影响
【摘 要】
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Nb掺杂TiO2(NTO)薄膜是一种新型的透明导电材料，由于其性能稳定、价格低廉，具有宽禁带、可见光透过率高、电阻率低等特性，所以有望替代需大量消耗稀有金属In的ITO薄膜材料。
【机 构】
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郑州大学材料科学与工程学院 河南教育学院化学系
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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通过制备不同尺寸的CdS纳米颗粒[1],研究反应条件以及前驱物对其形貌、尺寸的影响,选择在可见光下性能较好的结构与具有独特结构和良好的氧化还原性的多金属氧酸盐K6H4[α-SiW9O37[Co3(H2O)]3.17H2O(简称SiW9Co3)进行复合[2].根据CdS和SiW9Co3的带隙分析,CdS导带电子可从转移到SiW9Co3,而SiW9Co3的价带空穴则可转移到CdS,从而实现光生载流子在