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本文利用有机金属化合物分解法成功制备了系列Al掺杂的BaM样品,经SQUID、BFMR、AFM、MFM等表征后发现:随着Al含量的增加,其磁晶各向异性场有所增加;且在200-300 K温度范围,制备的纯BaM样品的各向异性场变化率仅为3.57％,十分有利于器件设计.
MOD法制备Al掺杂M型钡铁氧体薄膜的磁特性研究
【摘 要】
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本文利用有机金属化合物分解法成功制备了系列Al掺杂的BaM样品,经SQUID、BFMR、AFM、MFM等表征后发现:随着Al含量的增加,其磁晶各向异性场有所增加;且在200-300 K温度范围,制
【机 构】
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华中科技大学光学与电子信息学院,武汉430074
【出 处】
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第十六届全国微波磁学会议
【发表日期】
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2013年期
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