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为研究能在较高温度(140-200)工作的光伏红外探测器，在GaAs衬底上MBE生长的Hg<,1-x>CdTe(x=0.31)p型材料上制作了光伏器件，研究了其在77K—220K温度间的变温特性，并与InSb器件进行了比较。
HgCdTe/GaAs光伏中波红外探测器的变温特性研究
【摘 要】
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为研究能在较高温度(140-200)工作的光伏红外探测器，在GaAs衬底上MBE生长的HgCdTe(x=0.31)p型材料上制作了光伏器件，研究了其在77K—220K温度间的变温特性，并与InSb器件进行了比较。
【机 构】
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航空工业总公司北014中心(河南)
【出 处】
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第十三届全国红外科学技术交流会
【发表日期】
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1998年12期
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