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Modified dots-in-a-well infrared photodectector by inserting very thin GaAs layers into the InAs dot
【机 构】
:
Laboratory of Nano-Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 1
【出 处】
:
第十届中红外光电子材料与器件国际会议
【发表日期】
:
2010年期
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