SiO<,2>碳热还原法制备Si<,3>N<,4>/SiC的固相反应机理

来源 :第十一届全国高技术陶瓷学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaodixi000
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SiO<,2>/C体系在氮气气氛下1573-1973K温度范围内反应所得的产物为α-SiN<3>N<4>αβ-SiO。高的反应温度、高升温速度以及原料碳的过量均有利于SiO的生成。反应过程可分为三个阶段、产物分别为SiO气体、Si<,3>N<,4>和SiC,表现活化能分别为470KJ/MOL,467KJ/mol,484KJ/mol,484KJ/mol。以非等温度热重分析为主要实验方法。对SiO<,2>/C体系在流动的氮气中的反应机理进行了研究。探讨了体系固相反应所经历的步骤,确定了控速了和动力学参数。
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