【摘 要】
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双极晶体管(BJT-Bipolar Junction Transistor)具有良好的电流驱动能力、线性度、低噪声以及优良的匹配特性.它们在模拟或混合集成电路及BiCMOS (Bipolar Complementary Meta
【机 构】
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哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨150001
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
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双极晶体管(BJT-Bipolar Junction Transistor)具有良好的电流驱动能力、线性度、低噪声以及优良的匹配特性.它们在模拟或混合集成电路及BiCMOS (Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)电路中有着重要的作用,且这些电路及双极型晶体管常常应用于空间环境.因此,对双极晶体管的辐射效应进行有效评价具有十分重要的工程实际意义.本文能采用低能电子辐照源对NPN及PNP晶体管进行辐照试验.在辐照试验过程中,针对NPN及PNP晶体管发射结施加不同的偏置条件,研究偏置条件对NPN及PNP晶体管辐射损伤的影响.使用Keithley4200-SCS半导体特性测试仪在原位条件下测试了双极晶体管电性能参数随低能电子辐照注量的变化关系.测试结果表明,在相同的辐照注量条件下,发射结反向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最大; 发射结正向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最小; 发射结零偏时双极晶体管的辐照损伤程度居于上述情况之间.
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