拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜的范德瓦尔斯外延生长及电子性质

来源 :第十一届全国扫描隧道显微学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhaiyiyang9708

【作者】

：

宋灿立马旭村薛其坤王以林蒋烨平张翼常翠祖王立莉何珂贾金锋陈曦

【机构】

：

清华大学物理系,北京,100084;中国科学院物理研究所,北京,100190中国科学院物理研究所,北京,100190清华大学物理系,北京,100084

【出处】

：

第十一届全国扫描隧道显微学学术会议

【发表日期】

：

2010年11期

【关键词】

：

拓扑绝缘体扫描隧道显微镜 MBE生长驻波

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