【摘 要】
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The microstructures and dielectric properties of Zn2SnO4 thin films were investigated.Zn2SnO4 thin films were prepared using the radio frequency magnetron sputtering with various Ar/(Ar+O2)ratios.The
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The microstructures and dielectric properties of Zn2SnO4 thin films were investigated.Zn2SnO4 thin films were prepared using the radio frequency magnetron sputtering with various Ar/(Ar+O2)ratios.The Zn2SnO4 thin films were analyzed by X-ray diffraction(XRD)and microstructural observations.The thickness of the Zn2SnO4 thin films in the range from 342 to 973 nm as the Ar/(Ar+O2)ratio varied from 0.4 to 1.0.The surface roughness of Zn2SnO4 thin films decreased from 6.0 to 1.7 nm as the Ar/(Ar+O2)ratio increased from 0.4 to 1.0.Dielectric constants(εr)of 77-439 and loss factor of 0.49-0.80 of Zn2SnO4 thin films were measured at 1 MHz with Ar/(Ar+O2)ratio in the range of 0.4-1.0.
其他文献
根據過去的文獻指出，鋯摻雜之鈦酸鋇介電陶瓷材料相較於一般傳統鈦酸鋇具有較高的能隙(band gap)以及較高的還原焓(enthalpy of reduction)，使其擁有較佳之可靠度，本研究利用固態反應法製備鋯摻雜之鈦酸鋇粉末 Ba(ZrxTi1-x)0.999O3(x= 0、0.06、0.12及0.18)，探討其成分改變對晶體結構與顯微結構之變化，並利用交流阻抗分析模擬陶瓷體內部晶粒與晶界之變
本論文主要是在探討 Li2Ca2W3O12 陶瓷材料的微結構以及其微波介電特性.由實驗結果可得知,Li2Ca2W3O12 在其燒結溫度為620～700 ℃時,其介電常數(εr)落在6.45～7.19 以及 Q×f 值落在1,966～45,294 GHz.而當燒結溫度為680 ℃持溫4 小時的狀況下有最好的結果,可得介電係數(εr)7.32、Q×f 值45,294 GHz 以及τf 值-53.6 p
本研究採用射頻磁控濺鍍法製備CaLa4(Zr0.05Ti0.95)4O15 薄膜.本實驗在沉積壓力3mTorr、射頻功率100W、基板溫度300℃、氧氣壓力0％、10％、20％濺鍍30 分鐘，且退火溫度800℃/1hr 和900℃/1hr 的狀態下.藉由X-射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)分別探討不同製程參數條件下的物理特性及介電特性的影響.當薄膜於功率100W、基板溫度300℃、退火
本研究結合兩種玻璃-陶瓷(CaO-Al2O3-SiO2,CaO-B2O3-SiO2),已達到能夠同時於短時間緻密及結晶的低溫共燒陶瓷系統.此雙元玻璃-陶瓷系統的主要結晶相為wollastonite.當添加適當比例之氧化鋁至此系統中,結晶相anorthite 生成並抑制了wollatonite 相的析出,其反應機制為氧化鋁溶解於玻璃中形成富鋁層,進而生成anorthite 相.而後進行此系統之結晶動
此篇研究主題為在軟性基板上成長高導電、高透光之氧化物。作為氧化銦錫(ITO)的絕佳替代材料，我們選擇鋁摻雜氧化鋅(AZO)，透過凡德瓦磊晶機制，成長於白雲母上，並利用透過X 光繞射分析，鑑定薄膜晶體結構。在光學與電子特性部分，則使用紫外光-可見光-紅外光光譜分析儀與霍爾效應量測儀進行分析。另外，為了能應用於可撓式元件，我們也進行了彎曲電性分析。 我們的研究驗證了此軟性基板上之AZO 薄膜具有高透光
隨著個人穿戴式裝置的需求日益增加，可撓式元件的先驅研究也成為熱門的研究議題。本研究結合氧化銦錫(ITO)及白雲母基板的凡德瓦爾磊晶製程，成功開發出彎折性高且具有高透明度之導電元件，可應用於光電元件及各式導電膜等相關產品。
本研究旨在探討多晶陶瓷BaWO4 在束縛燒結下的緻密行為.束縛層的存在會造成在層與層間產生平面張應力,消耗掉部分的燒結驅動力,所以在相同條件下,束縛燒結的BaWO4 緻密速率會較其在自由燒結的緻密速率更小,且最後的緻密度也較低.透過在Z 軸方向施加壓應力,可提升BaWO4 的緻密度.在相對燒結密度0.6-0.75 的範圍內,若欲使BaWO4 束縛燒結具有與自由燒結相同的緻密速率,測量到的所需壓力範
本研究主要在探討1 mol％CuO-doped TiO2(之後簡稱TC1)在束縛燒結下緻密行為。因為TC1 與束縛層之間所產生的平面張應力(in-plane tensile stress)抵銷了部分的燒結驅動力,所以在相同溫度下,相較於自由燒結,束縛燒結下的TC1 具有較低的緻密度。藉由在Z 軸向施加壓應力提升束縛燒結下TC1 的緻密度,在750-950℃使束縛燒結下的TC1 具有與自由燒結相同的
在本研究中,我們探討(Ca0.95Sr0.05)(Ti1-xSnx)O3(x=0.01～0.09)之微波特性,由實驗得知(Ca0.95Sr0.05)(Ti0.97Sn0.03)O3 在燒結溫度1350℃持溫四小時擁有最佳微波介電特性：εr～91.23、Q × f～5242GHz、τf～+807.71 ppm/℃.為了跟(Ca0.8Sr0.2)TiO3(τf～+991 ppm/℃)有所區別,A-si
本實驗採用氧化物混合法(mixed oxide method)製作Mn0.1Mg0.9Fe2O4 陶瓷粉末，研究不同燒結溫度對微結構、晶格結構與交流磁化率的影響.鎂錳鐵氧化物經高溫燒結後XRD 結果顯示立方結構尖晶石，晶格常數會隨著燒結溫度提升而縮小.由OM 的表面觀察可以看到隨著燒接溫度的增加晶粒會隨著增加，且具有磁域結構.軟磁材料鎂錳鐵氧化物在交流頻率下磁化率的變化則呈現尼爾鬆弛行為，且燒結溫