硫化锑(Sb2S3)是一种带隙1.5-1.7eV的直接带隙半导体，环境友好、成本低廉且稳定，是潜在高性能太阳能电池材料.当前硫化锑薄膜太阳能电池仍面临Voc和PCE低的问题，主要与电子提取能力低和深能级缺陷有关.本项目利用单源热蒸发法Sb2S3粉体制备薄膜，通过锂盐掺杂TiO2提高电子传输层对硫化锑吸收层的电子提取性能，使得基于多孔TiO2的硫化锑薄膜太阳能电池的光电转化效率从1.7％提升到了4.42％；同时利用前驱体调控硫化锑薄膜的缺陷态，蒸镀富硫的五硫化二锑制备硫化锑薄膜，有效抑制深能级硫缺陷的形成，在平板结构的硫化锑太阳能电池中获得了3.75％的效率，且制备的器件具有较好的重复性，为探明其光电性能演变作用机理，制备低成本、高效稳定的硫化锑薄膜太阳电池提供了可能.