【摘 要】
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用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-甲基噻吩(PMeT)膜电极和ITO/TiO/PMET复合膜电极的光电转换性质.结果表明,PMET膜导带位置为-3.44cV,禁带宽度为1.93eV.修饰ITO/TiO电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率.
【机 构】
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河北科技大学理学院(河北石家庄);河北科技大学化学与制药工程学院(河北石家庄) 河北科技大学化学与
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
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用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-甲基噻吩(PMeT)膜电极和ITO/TiO<,2>/PMET复合膜电极的光电转换性质.结果表明,PMET膜导带位置为-3.44cV,禁带宽度为1.93eV.修饰ITO/TiO<,2>电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率.
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