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通过异质结数值计算软件AFORS-HET 模拟n 型单晶硅衬底上的带有本征薄层的异质结结构(HIT)太阳电池，着重研究了在富氢非晶硅材料的p 型发射层和本征层中缺陷态密度(DOS)带来的影响。基于精确的态密度分布物理模型，得到缺陷态中陷入的载流子浓度，从而揭示其中载流子缺陷效应。本文清晰的呈现了缺陷效应的物理图像并讨论了效率高于20％的HIT 结构太阳电池所要求的DOS 的范围。