【摘 要】
：
为扩大产量,商业化MBE材料生产通常采用大尺寸、多衬底的生长方式,所面临的均匀性问题十分突出.一方面,对于焦平面探测器等尺寸较大的器件,若不能有效改善均匀性,将极大地限制良品率.另一方面,对于激光器等尺寸较小的器件,材料非均匀性也会极大影响不同器件的性能均一性.对于外延层与衬底晶格匹配,且禁带宽度差别较大的材料,表征组分均匀性的可能方法有室温光荧光(RTPL）测量,高分辨X射线衍射(HRXRD）ω
【机 构】
：
中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
论文部分内容阅读
为扩大产量,商业化MBE材料生产通常采用大尺寸、多衬底的生长方式,所面临的均匀性问题十分突出.一方面,对于焦平面探测器等尺寸较大的器件,若不能有效改善均匀性,将极大地限制良品率.另一方面,对于激光器等尺寸较小的器件,材料非均匀性也会极大影响不同器件的性能均一性.对于外延层与衬底晶格匹配,且禁带宽度差别较大的材料,表征组分均匀性的可能方法有室温光荧光(RTPL）测量,高分辨X射线衍射(HRXRD）ω/2θ扫描.采用DCAP600MBE系统在GaAs衬底上生长了4英寸Al0.28Ga0.72As外延片，分别使用光栅光谱仪和HRXRD测量了样品的荧光光谱和ω/2θ曲线，获得了组分均匀性结果。
其他文献
近期,层状二维铁磁材料(2D FM）由于其在低维磁性研究和自旋电子器件应用的前景引起了广泛关注1.由机械剥离方法得到的单层材料实验上被证明仍具有铁磁性,因此在低维度下研究材料的磁性是非常重要的.对于二维材料的研究,如何获得大面积、高质量的材料是极为重要的.通过分子束外延生进行了二维铁磁薄膜Fe3GeTe2的晶圆尺寸生长，并且通过控制Fe的组成，以及将其与反铁磁材料MnTe的结合来操控Fe3GeTe
拓扑绝缘体以其独特的能带结构与新奇的物理性质,自问世以来就受到了广泛关注.第二代三维拓扑绝缘体Bi2Se3家族是其中的重要代表.利用分子束外延技术,在具备良好绝缘性能的SrTiO3衬底上通过范德瓦尔斯外延生长了高质量的Bi2Se3单晶薄膜,薄膜的厚度为15～20nm,并利用XRD、AFM等设备对薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征.结果显示薄膜的晶体结构为(00l）(其中l=3n,n为整数)面的取向
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理，确定了锡烯纳米网状结构的稳定性，计算了其基本电子结构，考虑SOC的情况下，当纳米孔洞宽度W为奇数时，会存在一个较小的带隙；W为偶数时，带隙将彻底打开，且带隙可通过改变纳米网状结构的周期及网状孔洞大小来调节，这为锡烯纳米网状结构在光电子材料领域的应用，提供了可能。
3～6μm中红外激光器在气体探测,环境保护等众多方面有着重要作用,带间级联激光器(ICL)是一新型的中红外激光光源.ICL的概念于1994年由Rui Q.Yang提出,其第一次观察到激射是在1997年,2001年首次实现室温脉冲工作,2008年实现室温连续工作.目前ICL一般采用InAs/GaInSb W型量子阱,并在注入区内通过对InAs的高掺杂来实现载流子再平衡以提高性能.ICL除了因级联结构
中红外半导体量子级联光源体积小、成本低、易集成化，因而引起了研究者们的广泛兴趣。但在量子级联结构中，由于子带间非辐射复合寿命较短，导致自发辐射效率较低，所以实现室温mW级的SLD很困难。据报道,目前为止只有Claire工作组在2014年实现了室温脉冲工作,这远远不能满足OCT系统对光源的要求。在这里，将0.6mm长的脊形波导和2.4mm长的楔型波导相结合，整体倾斜17°，制备出一超辐射光源与光放大
量子级联激光器在红外对抗和气体传感等领域有着重要的用途.本文采用用分子束外延(MBE）在InP衬底上生长了InGaAs/InAlAs的有源区结构,然后用湿法腐蚀除了双沟的脊波导,用MOCVD填沟生长了半绝缘InP(Fe:InP）掩埋异质结后,二次外延了InP上波导,制备的单脊波导器件能够达到303K的连续工作温度.激光器在283K时,激射波长为9.35微米,连续波输出功率达45mW,温度升高到30
在Ge(110)衬底CVD生长的石墨烯上，利用分子束外延技术(MBE)获得了Ge-Graphene-Ge的异质结构，通过原位反射高能电子衍射(RHEED)实时监控外延生长过程和晶体属性，使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了形貌特征。开始时可同时观测到石墨烯和Ge的图形，随着Ge外延层不断变厚，石墨烯信号逐渐减弱至25分钟时基本完全消失，最终呈现点状与环状共存的形态表明多晶与单
We have proposed planar-type and room-temperature-operable terahertz(THz) emission devices based on the difference-frequency generation of two cavity modes in a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity [1]
近年来,拓扑绝缘体作为一种新型的量子材料体系,受到越来越多的关注.拓扑绝缘体,如Bi2Te3、Bi2Se3等因其具有时间反演对称所保护的、非平凡的、自旋与动量耦合的表面态,而具备许多其他材料不具备的特殊性质.理论研究证明,拓扑绝缘体的狄拉克锥形的表面态可以具有很强的光吸收,并且表面吸收取决于精细结构常数,与入射光子能量无关.本工作报告了GaN衬底上分子束外延生长的高性能Bi2Te3光电导探测器。室
宽光谱成像技术在遥感、矿产探测、生物医学等方面具有广泛的应用而备受关注.在分子束外延(MBE）生长的GaSb基InAs/GaSbⅡ类超晶格材料吸收区上实现不同形状、不同尺寸的光陷阱微结构,有效增加了探测器的光吸收.探测器探测到中波红外光的同时,实现对可见光波段的探测.模拟显示光陷阱结构可有效降低InAs/GaSbⅡ类超晶格材料反射率,从而实现可见光拓展的中波红外.